Описание
- Тип памяти: DDR3
- Форм-фактор: SODIMM 204-контактный
- Тактовая частота: 1333 МГц
- Пропускная способность: 10600 Мб/с
- Объем: 1 модуль 8 Гб
- CAS Latency (CL): 9
- RAS to CAS Delay (tRCD): 9
- Row Precharge Delay (tRP): 9
- Количество чипов каждого модуля: 16, двусторонняя упаковка
- Напряжение питания: 1.5 В
- Количество ранков: 2
